先端メモリ・ロジック・パワー半導体用の急速熱処理装置（RTP）
· 制御温度範囲：350℃－1200℃
· 加熱精度：±1℃
· ウェハ回転加熱方式
· 均一性（Uniformity）：1%未満
· RTA・RTO・RTN・シリサイド化等様々なプロセスに対応
· 部品交換により6インチ、8インチウェハの兼用可能
· 2チャンバーにすることでスループット向上可能
イノベーションとカスタマイゼーションで先端半導体業界をけん引するリーディングカンパニー。半導体、ロボット、ディスプレイ関連装備製造をトータルソリューションで提供する。韓国企業をはじめ、先端半導体業界での実績多数。290件以上の特許をもつ確かな技術力と開発力が強み。お客様のニーズにマッチするオーダーメイドのソリューションで課題を解決。
RHP200シリーズには、特許技術を用いたランプ配置とウェハローテーションシステムを搭載。これらの機能より均一で迅速な加熱と正確な熱制御が可能。均一性1%（RTO 0.53%, Rs 0.29%, 1 σ）の高精度を実現。
RHP200XLシリーズに搭載されているリニアヒーターはウェハの負荷を最小限にする両面加熱機構。上方向からのガス噴射と回転機構に加え、ランプリフレクターにより均一の加熱が可能。他社製品に比べて高精度な均一性を実現。
